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NTR1P02L, NVTR01P02L
400
300
200
100
0
C iss
C oss
C rss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
3
2
1
0
Q gs
Q gd
Q T
V DS = 16 V
I D = 1.5 A
T J = 25 ° C
0
5
10
15
20
25
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1.0
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
10
V DD = 48 V
I D = 9 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0.3
0.2
0.1
1
1
10
100
0
0
0.5
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
100
10
1
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100 m s
0.1
0.01
V GS = 12 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
1 ms
10 ms
dc
0.001
Package Limit
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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